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松下電器實(shí)現(xiàn)對應(yīng)FOWLP/PLP的顆粒狀半導(dǎo)體封裝材料的產(chǎn)品化——為提高半導(dǎo)體封裝的生產(chǎn)效率做出貢獻(xiàn)

更新時(shí)間2018-08-30 點(diǎn)擊數(shù)6082
松下公司新聞
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松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社汽車電子和機(jī)電系統(tǒng)公司實(shí)現(xiàn)對應(yīng)扇出型晶圓級封裝(下稱FOWLP(※1))和面板級封裝(下稱PLP(※2))的顆粒狀半導(dǎo)體封裝材料的產(chǎn)品化,并將從2018年9月起開始對應(yīng)樣品供應(yīng)。為提高面向可穿戴式終端、移動體等便攜設(shè)備的較尖端半導(dǎo)體封裝的生產(chǎn)效率,降低制造成本做出貢獻(xiàn)。



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▼顆粒狀半導(dǎo)體封裝材料的詳細(xì)信息
https://industrial.panasonic.cn/ea/products/electronic-materials/semiconductor-encapsulation/ecom-super-fine/wlp-plp?ad=press20180829
https://industrial.panasonic.cn/cuif/ea/contact-us?field_contact_group=2797&field_contact_lineup=3243&ad=press20180829


在半導(dǎo)體封裝的高功能化、小型薄型化背景下FOWLP備受矚目。此外,為了降低半導(dǎo)體安裝工序的成本,有人提出了可設(shè)法增大半導(dǎo)體封裝取數(shù)的PLP方案。對此類半導(dǎo)體封裝的封裝材料提出的要求是,能夠使得大面積晶圓和面板無翹曲地均一地封裝,及與各種部件材料之間具有優(yōu)異的親和性。松下電器此次實(shí)現(xiàn)了滿足這些要求的顆粒狀半導(dǎo)體封裝材料的產(chǎn)品化。


松下電器的半導(dǎo)體封裝材料品種齊全,包括適合于封裝厚度在200μm以下的薄型封裝的片狀類型和以往的液狀類型,加上此次實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化的顆粒狀類型,我們將作為配合半導(dǎo)體封裝的形態(tài)、工藝的解決方案予以提供。


■顆粒狀半導(dǎo)體封裝材料的特征:
1. 低翹曲和高流動性兼而有之,為提高半導(dǎo)體封裝的生產(chǎn)效率做出貢獻(xiàn)
2. 與形成電路所需的絕緣性聚酰亞胺(Polyimide)的親和性優(yōu)異,可對應(yīng)各種生產(chǎn)工藝


■用途
用于可穿戴式終端、移動體等便攜設(shè)備上的應(yīng)用程序處理器和電源管理IC等較尖端半導(dǎo)體封裝(FOWLP、PLP、FOSiP(※3)、WLCSP(※4)等)


■備注
將于2018年9月5日(周三)~7日(周五)在臺北南港展覽館Taipei Nangang Exhibition Center上舉辦的2018臺灣國際半導(dǎo)體展中展出本產(chǎn)品。


■特征的詳細(xì)說明
1. 低翹曲和高流動性兼而有之,為提高半導(dǎo)體封裝的生產(chǎn)效率做出貢獻(xiàn)
大尺寸的大塊晶圓和面板在與封裝材料成型后,一旦出現(xiàn)翹曲或扭曲就會影響到后續(xù)工序內(nèi)的作業(yè)性,因此必須降低翹曲。松下電器借助其獨(dú)特的低收縮且低應(yīng)力的材料技術(shù)開發(fā),在不影響封裝材料流動性的前提下實(shí)現(xiàn)低翹曲,由此為提高半導(dǎo)體封裝的生產(chǎn)效率做出貢獻(xiàn)。
2. 與形成電路所需的絕緣性聚酰亞胺(Polyimide)的親和性優(yōu)異,可對應(yīng)各種生產(chǎn)工藝
要形成高精度的電路,必須具備的條件是絕緣性聚酰亞胺(Polyimide)與封裝材料的高親和性。松下電器借助其獨(dú)特的樹脂設(shè)計(jì)技術(shù),與聚酰亞胺(Polyimide)的親和性高,不僅在后上芯工藝(※5)中可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定生產(chǎn),而且在先上芯工藝(※6)中也可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定生產(chǎn),從而提高客戶選擇生產(chǎn)方式的自由度。


■銷售地區(qū):全球


■基本規(guī)格和適用尺寸、推薦封裝方法
供給形狀:顆粒狀
型號:X851C系列、X851D系列
適用封裝:FOWLP、FOSiP、WLCSP、PLP等
推薦對應(yīng)尺寸:直徑300mm的晶圓、300×300mm以上的面板
適用封裝厚度:300~1000μm
封裝方式:壓縮成型
推薦成型溫度:130~175℃
對應(yīng)生產(chǎn)方式例:先上芯工藝(X851C系列)、后上芯工藝(X851D系列)


■術(shù)語說明
※1:扇出型晶圓級封裝(FOWLP)
能夠形成比IC芯片尺寸更大的封裝尺寸的封裝形態(tài)之一。
※2:面板級封裝(PLP)
在薄型的大塊四方形面板上并排多枚芯片進(jìn)行批量成型的封裝制作手法。一般情況下是在比300mm方形面板更大的大塊面板上被成型,作為大量且高效生產(chǎn)的工藝備受矚目。
※3:系統(tǒng)級扇出型封裝(FOSiP)
FOWLP中,在1個封裝件內(nèi)包含有多個IC芯片的封裝。
※4:晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)
系過去就存在的封裝形態(tài)之一,IC芯片與封裝件的外形尺寸完全相同的封裝。
※5:后上芯工藝
屬于FOWLP的制造工藝,先形成配線層,之后封裝IC芯片的工藝。
※6:先上芯工藝
屬于FOWLP的制造工藝,先封裝IC芯片,之后形成配線層的工藝。



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